MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 7.2 mΩ Miglioramento, 57 A, 8 Pin, TDSON, Superficie
- Codice RS:
- 165-5986
- Codice costruttore:
- BSC052N03LSATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
1225,00 €
(IVA esclusa)
1495,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,245 € | 1.225,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 165-5986
- Codice costruttore:
- BSC052N03LSATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 57A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 28W | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Larghezza | 5.35 mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 57A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 28W | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Larghezza 5.35 mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Non applicabile
- Paese di origine:
- CN
Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™
I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.
Canale N - modalità potenziata
Qualifica per uso automobilistico AEC Q101
MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Contenitore verde (senza piombo)
Rds(on) ultra bassa
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.