MOSFET STMicroelectronics, canale N, 40 mΩ, 5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:
165-6539
Codice costruttore:
STT5N2VH5
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

5 A

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

SOT-23

Serie

STripFET V

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

40 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.7V

Dissipazione di potenza massima

1,6 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-8 V, +8 V

Larghezza

1.75mm

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

3.05mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

6 nC a 4,5 V

Altezza

1.3mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
MA

STripFET™ II a canale V, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.


Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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