MOSFET STMicroelectronics, canale N, 40 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 791-7876
Codice costruttore:: STR2N2VH5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 40 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 791-7876
Codice costruttore:: STR2N2VH5
Costruttore:: STMicroelectronics

STR2N2VH5 Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,3 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	STripFET V
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	40 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.7V
Dissipazione di potenza massima	350 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.75mm
Carica gate tipica @ Vgs	6 nC @ 4,5 V
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.3mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 40 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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STripFET™ II a canale V, STMicroelectronics

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