MOSFET Infineon, canale P, 236 mΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6614
Codice costruttore:: IRLML2246TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 236 mΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-6614
Codice costruttore:: IRLML2246TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRLML2246TRPbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,6 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	236 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.1V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	1,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Lunghezza	3.04mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	2,9 nC a 4,5 V
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale P, 236 mΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 20 V, Infineon

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