MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 236 mΩ Miglioramento, 2.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
165-6614
Codice costruttore:
IRLML2246TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

2.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

236mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.9nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.02mm

Lunghezza

3.04mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 20 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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