MOSFET Infineon, canale N, 6 mΩ, 120 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 165-7607
Codice costruttore:: IRFB3307ZPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 6 mΩ, 120 A, TO-220AB, Su foro

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

1,763 €

(IVA esclusa)

2,151 €

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Unità	Per unità	Per Tubo**
50 - 50	1,763 €	88,15 €
100 - 200	1,481 €	74,05 €
250 - 450	1,375 €	68,75 €
500 - 950	1,287 €	64,35 €
1000 +	1,182 €	59,10 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-7607
Codice costruttore:: IRFB3307ZPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A
Tensione massima drain source	75 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	230 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	79 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.66mm
Larghezza	4.82mm
Altezza	9.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 6 mΩ, 120 A, TO-220AB, Su foro

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