MOSFET Infineon, canale N, 2,4 mΩ, 235 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:
165-7675
Codice costruttore:
AUIRF2903ZS
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

235 A

Tensione massima drain source

30 V

Serie

HEXFET

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

2,4 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

231 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

9.65mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

160 nC @ 10 V

Altezza

4.83mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
MX

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