MOSFET Infineon, canale N, 6,5 mΩ, 110 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-7623
Codice costruttore:: AUIRF3205ZS
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 6,5 mΩ, 110 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-7623
Codice costruttore:: AUIRF3205ZS
Costruttore:: Infineon

Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	110 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	170 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	76 nC a 10 V
Larghezza	11.3mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.67mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.83mm

MOSFET Infineon, canale N, 6,5 mΩ, 110 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N per uso automobilistico, Infineon

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