MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3.9 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP039N04LGXKSA1

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Codice RS:
165-8156
Codice costruttore:
IPP039N04LGXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55nC

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

0.92V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.572 mm

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Altezza

15.95mm

Lunghezza

10.36mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, fino a 40 V


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching

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Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione

Canale N, livello logico

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Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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