MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 5.4 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP057N08N3GXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-9471
Codice costruttore:
IPP057N08N3GXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

15.95mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.36mm

Larghezza

4.57 mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-44-438

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

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Transistor MOSFET, Infineon


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