MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 2 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPP020N08N5AKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4691
Codice costruttore:
IPP020N08N5AKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

178nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.57mm

Lunghezza

10.36mm

Larghezza

15.95 mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET Infineon, noti anche come transistor MOSFET, sono l'acronimo di 'Metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistor'. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso della corrente che passa dalla sorgente ai terminali di drain

Placcatura senza piombo; Conformità RoHS

Eccellente resistenza termica testata al 100% con effetto valanga

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-23

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