MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP023N08N5AKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4404
Codice costruttore:
IPP023N08N5AKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

133nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.2mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

15.93mm

Altezza

4.4mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET Infineon OptiMOS 5 è ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona. Richiede meno collegamento in parallelo.

Ha perdite di conduzione e commutazione ridotte

È dotato di overshoot a bassa tensione

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