MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 12 V, 1.5 Ω Miglioramento, 500 mA, 3 Pin, X2-DFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 10000 unità*

530,00 €

(IVA esclusa)

650,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 27 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
10000 +0,053 €530,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-8375
Codice costruttore:
DMN1260UFA-7B
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

500mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

X2-DFN

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

360mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.96nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

0.85 mm

Lunghezza

0.65mm

Altezza

0.35mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


Link consigliati