MOSFET DiodesZetex, canale N 12 V, 1.5 Ω Miglioramento, 500 mA, 3 Pin, X2-DFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 10000 unità*

540,00 €

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Codice RS:
165-8375
Codice costruttore:
DMN1260UFA-7B
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

500mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Serie

DMN

Tipo di package

X2-DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.96nC

Dissipazione di potenza massima Pd

360mW

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-8V, +8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

0.65mm

Larghezza

0.85mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.35mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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