MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 30 V, 5 Ω Miglioramento, 200 mA, 3 Pin, X2-DFN, Superficie
- Codice RS:
- 222-2859
- Codice costruttore:
- DMP32D9UFO-7B
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,028 € | 280,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-2859
- Codice costruttore:
- DMP32D9UFO-7B
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 200mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | X2-DFN | |
| Serie | DMP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.35nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 320mW | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Tensione diretta Vf | -1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 0.45 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.4mm | |
| Lunghezza | 0.65mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 200mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package X2-DFN | ||
Serie DMP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.35nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 320mW | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Tensione diretta Vf -1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 0.45 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.4mm | ||
Lunghezza 0.65mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale P DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Profilo contenitore basso
Bassa resistenza in stato attivo
Gate con protezione ESD
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