MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 30 V, 5 Ω Miglioramento, 200 mA, 3 Pin, X2-DFN, Superficie DMP32D9UFO-7B
- Codice RS:
- 222-2860
- Codice costruttore:
- DMP32D9UFO-7B
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,027 € | 1,35 € |
| 500 - 950 | 0,026 € | 1,30 € |
| 1000 - 2450 | 0,026 € | 1,30 € |
| 2500 - 4950 | 0,025 € | 1,25 € |
| 5000 + | 0,025 € | 1,25 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-2860
- Codice costruttore:
- DMP32D9UFO-7B
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 200mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | X2-DFN | |
| Serie | DMP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.35nC | |
| Tensione diretta Vf | -1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 320mW | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 0.65mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 0.45 mm | |
| Altezza | 0.4mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 200mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package X2-DFN | ||
Serie DMP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.35nC | ||
Tensione diretta Vf -1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 320mW | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 0.65mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 0.45 mm | ||
Altezza 0.4mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale P DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Profilo contenitore basso
Bassa resistenza in stato attivo
Gate con protezione ESD
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