MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 100 V, 99 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

602,50 €

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735,00 €

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Codice RS:
165-8397
Codice costruttore:
DMN10H099SK3-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

DMN10H099SK3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.77V

Dissipazione di potenza massima Pd

34W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.39mm

Lunghezza

6.2mm

Larghezza

6.7 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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