MOSFET DiodesZetex, canale N 100 V, 99 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-252, Superficie DMN10H099SK3-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
921-1044
Codice costruttore:
DMN10H099SK3-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

DMN10H099SK3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

34W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25.2nC

Tensione diretta Vf

770mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.39mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.2mm

Larghezza

6.7mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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