MOSFET Nexperia, canale P, 15 Ω, 225 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-1566
Codice costruttore:: BSP225,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 15 Ω, 225 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)**

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1000 +	0,34 €	340,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-1566
Codice costruttore:: BSP225,115
Costruttore:: Nexperia

BSP225, P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	225 mA
Tensione massima drain source	250 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	15 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.8V
Tensione di soglia gate minima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	1,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.7mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-65 °C
Altezza	1.7mm

MOSFET Nexperia, canale P, 15 Ω, 225 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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