MOSFET Vishay, canale P, 1,2 Ω, 690 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 177-7606
Codice costruttore:: IRFL9110TRPBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 1,2 Ω, 690 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,709 €

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0,865 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,709 €	1.772,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 177-7606
Codice costruttore:: IRFL9110TRPBF
Costruttore:: Vishay

IRFL9110, SiHFL9110, Power MOSFET

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	690 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	3,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	3.7mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	8,7 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.8mm

MOSFET Vishay, canale P, 1,2 Ω, 690 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor

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