Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale N 250 V, 42 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 166-1758
Codice costruttore:: FDB2710
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N 250 V, 42 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

2045,60 €

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800 +	2,557 €	2.045,60 €

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Codice RS:: 166-1758
Codice costruttore:: FDB2710
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	50A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	250V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	42mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-30V, +30V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	78nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	260W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	11.33mm
	Lunghezza	10.67mm
	Altezza	4.83mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 50A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V
	Tipo di package TO-263
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 42mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 78nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 260W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 11.33mm
	Lunghezza 10.67mm
	Altezza 4.83mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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