MOSFET onsemi, canale N, 22 mΩ, 27 mΩ, 6,9 A, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

Progettato per ridurre al minimo le perdite nella conversione di potenza mantenendo al contempo eccellenti prestazioni di commutazione
Tecnologia Trench ad alte prestazioni per garantire una bassissima resistenza RDS(on)
La tecnologia SyncFET™ usufruisce di un efficiente diodo Schottky integrato
Applicazioni: convertitori c.c.-c.c. a raddrizzamento sincrono, azionamenti per motori, interruttori low side con punto di carico su rete

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.