MOSFET onsemi, canale N, 22 mΩ, 27 mΩ, 6,9 A, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:
166-2446
Codice costruttore:
FDS6900AS
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

6,9 A, 8,2 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SOIC

Serie

PowerTrench, SyncFET

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

22 mΩ, 27 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

2 W

Configurazione transistor

Serie

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

2

Carica gate tipica @ Vgs

10 nC a 10 V, 11 nC a 10 V

Larghezza

3.99mm

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
MY

MOSFET doppio SyncFET™ PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Progettato per ridurre al minimo le perdite nella conversione di potenza mantenendo al contempo eccellenti prestazioni di commutazione
Tecnologia Trench ad alte prestazioni per garantire una bassissima resistenza RDS(on)
La tecnologia SyncFET™ usufruisce di un efficiente diodo Schottky integrato
Applicazioni: convertitori c.c.-c.c. a raddrizzamento sincrono, azionamenti per motori, interruttori low side con punto di carico su rete


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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