Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale N 50 V, 47 mΩ Miglioramento, 16 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Codice RS:: 166-2656
Codice costruttore:: RFD16N05LSM9A
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N 50 V, 47 mΩ Miglioramento, 16 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1107,50 €

(IVA esclusa)

1350,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 26 aprile 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
2500 +	0,443 €	1.107,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 166-2656
Codice costruttore:: RFD16N05LSM9A
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	16A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	50V
	Serie	MegaFET
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	47mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-10V, +10V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	80nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	60W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.73mm
	Larghezza	6.22mm
	Altezza	2.39mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 16A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 50V
	Serie MegaFET
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 47mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -10V, +10V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 60W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.73mm
	Larghezza 6.22mm
	Altezza 2.39mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor

Il processo MegaFET, che utilizza dimensioni strutturali simili a quelle dei circuiti integrati LSI, offre un utilizzo ottimale del silicio, che si traduce in eccellenti prestazioni.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.