MOSFET onsemi, canale Tipo N 50 V, 47 mΩ Miglioramento, 16 A, 3 Pin, TO-252, Superficie RFD16N05LSM9A

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
761-3574
Codice costruttore:
RFD16N05LSM9A
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

50V

Tipo di package

TO-252

Serie

MegaFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

47mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.39mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor


Il processo MegaFET, che utilizza dimensioni strutturali simili a quelle dei circuiti integrati LSI, offre un utilizzo ottimale del silicio, che si traduce in eccellenti prestazioni.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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