MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 56 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

2157,50 €

(IVA esclusa)

2632,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 08 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,863 €2.157,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
163-2299
Codice costruttore:
NTD6415ANLT4G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

NTD6415ANL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

56mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.38mm

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


Link consigliati