MOSFET onsemi, canale N 60 V, 104 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
100-8063
Codice costruttore:
NTD3055L104T4G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NTD3055L104

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

104mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.4nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-15V, +15V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.38mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CZ

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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