MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 210 mΩ Miglioramento, 7 A, 4 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 195-2460
- Codice costruttore:
- NCV8406BDTRKG
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,745 € | 1.862,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 195-2460
- Codice costruttore:
- NCV8406BDTRKG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | NCV8406 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 210mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.81W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 14 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 6.22 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 2.25mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie NCV8406 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 210mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.81W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 14 V | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 6.22 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 2.25mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
NCV8406 è un dispositivo smart discreto Low-Side protetto da tre terminal. Le caratteristiche di protezione includono sovracorrente, sovratemperatura, ESD e bloccaggio Drain-to-gate integrato per la protezione da sovratensione. Questo dispositivo offre protezione ed è adatto per ambienti automobilistici difficili.
Protezione contro i cortocircuiti
Spegnimento Termico Con Riavvio Automatico
Protezione da sovratensione
Morsetto Integrato Per Commutazione Induttiva
Protezione ESD
Robustezza DV/dt
Capacità Di Azionamento Analogico (Ingresso Di Livello Logico)
Questi Dispositivi Sono Faster rispetto Agli Altri Dispositivi NCV
Prefisso NCV per il settore automobilistico e Altre Applicazioni Che Richiedono
Requisiti Unici Di Modifica Del Sito E Del Controllo
Capacità PPAP
Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR
Applications
Commutare Una Varietà Di Carichi Resistivi, induttivi e capacitivi
È Possibile Sostituire Relè Elettromeccanici E Circuiti Discreti
Settore automotive, settore industriale
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