MOSFET onsemi, canale N, 20 mΩ, 11,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-3576
Codice costruttore:: FDD5353
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 20 mΩ, 11,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)

0,623 €

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0,76 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,623 €	1.557,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-3576
Codice costruttore:: FDD5353
Costruttore:: onsemi

FDD5353, N-Channel Power Trench MOSFET 60V 50A 12.3mOhm Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	11,5 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	20 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	69 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.22mm
Carica gate tipica @ Vgs	46 nC a 10 V
Lunghezza	6.73mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	2.39mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 20 mΩ, 11,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor

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