MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 20 mΩ Miglioramento, 11.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1660,00 €

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Codice RS:
166-3576
Codice costruttore:
FDD5353
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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