MOSFET onsemi, canale N, 50 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-5401
Codice costruttore:: NTD5867NLT4G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 50 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 124-5401
Codice costruttore:: NTD5867NLT4G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	50 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	36 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.22mm
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 10 V
Lunghezza	6.73mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.38mm

MOSFET onsemi, canale N, 50 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

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