MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 50 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Immagine rappresentativa della gamma

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
124-5401
Codice costruttore:
NTD5867NLT4G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.38mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CZ

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


Link consigliati