MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 50 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-252, Superficie NTD5867NLT4G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
719-2901
Codice costruttore:
NTD5867NLT4G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.38mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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