MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P 80 V, 56 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie RD3N03BATTL1
- Codice RS:
- 687-384
- Codice costruttore:
- RD3N03BATTL1
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
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- RD3N03BATTL1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3N03BAT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 56mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 50nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 54W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101, RoHS | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Lunghezza | 10.50mm | |
| Larghezza | 6.8 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Serie RD3N03BAT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 56mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 50nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 54W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101, RoHS | ||
Altezza 2.3mm | ||
Lunghezza 10.50mm | ||
Larghezza 6.8 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- JP
Il MOSFET di potenza a canale P ROHM è progettato per garantire un funzionamento efficiente in una varietà di applicazioni, tra cui azionamenti di motori e circuiti di commutazione. Con una tensione massima drain-source di -80 V e capacità di corrente di drenaggio continua che raggiungono -30 A, questo dispositivo è progettato per garantire prestazioni robuste in condizioni difficili. La sua bassa resistenza in stato attivo di 56 mΩ garantisce un'efficienza ottimale, riducendo al minimo le perdite di energia durante il funzionamento. Inoltre, il pacchetto TO-252 consente una facile integrazione nei progetti elettronici, offrendo versatilità e affidabilità in fattori di forma compatti. L'RD3N03BAT è inoltre conforme agli standard RoHS e privo di alogeni, il che lo rende una scelta adatta per progetti attenti all'ambiente.
Bassa resistenza di accensione per una maggiore efficienza e una gestione termica ridotta
Capacità di potenza elevata in un pacchetto TO-252 compatto per un'applicazione versatile
La conformità alla direttiva RoHS e senza alogeni garantisce la sicurezza ambientale per l'elettronica moderna
Test approfonditi, compresi Rg e UIS, garantiscono un funzionamento e prestazioni affidabili
L'ampia gamma di temperature d'esercizio, da -55 a +150 °C, supporta diverse condizioni ambientali
Prodotto progettato con valori nominali di energia a valanga affidabili per una maggiore sicurezza durante le condizioni transitorie
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