MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P 80 V, 56 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie RD3N03BATTL1

Il MOSFET di potenza a canale P ROHM è progettato per garantire un funzionamento efficiente in una varietà di applicazioni, tra cui azionamenti di motori e circuiti di commutazione. Con una tensione massima drain-source di -80 V e capacità di corrente di drenaggio continua che raggiungono -30 A, questo dispositivo è progettato per garantire prestazioni robuste in condizioni difficili. La sua bassa resistenza in stato attivo di 56 mΩ garantisce un'efficienza ottimale, riducendo al minimo le perdite di energia durante il funzionamento. Inoltre, il pacchetto TO-252 consente una facile integrazione nei progetti elettronici, offrendo versatilità e affidabilità in fattori di forma compatti. L'RD3N03BAT è inoltre conforme agli standard RoHS e privo di alogeni, il che lo rende una scelta adatta per progetti attenti all'ambiente.

Bassa resistenza di accensione per una maggiore efficienza e una gestione termica ridotta