MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P 100 V, 6.2 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie RD3P08BBLHRBTL
- Codice RS:
- 687-355
- Codice costruttore:
- RD3P08BBLHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 687-355
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- RD3P08BBLHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3P08BBLHRB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 55nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 142W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 6.8 mm | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Lunghezza | 10.50mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101, RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Serie RD3P08BBLHRB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 55nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 142W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 6.8 mm | ||
Altezza 2.3mm | ||
Lunghezza 10.50mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101, RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- JP
Il MOSFET di potenza a canale N ROHM è progettato per applicazioni robuste che richiedono una commutazione efficiente. Con una tensione nominale massima di 100 V e una corrente di drenaggio continua di 80 A, questo componente offre una gestione affidabile dell'alimentazione. La sua bassa resistenza in stato attivo di soli 6,2 mΩ garantisce una perdita di energia minima durante il funzionamento, fondamentale per migliorare l'efficienza degli alimentatori. Questo MOSFET supporta un'ampia gamma di applicazioni di corrente commutata e dispone della certificazione AEC-Q101, che lo rende adatto agli ambienti automobilistici. Il contenitore DPAK compatto consente di migliorare le prestazioni termiche in spazi ristretti.
La bassa resistenza di accensione migliora l'efficienza energetica, riducendo la generazione di calore
La tensione nominale drain-source di 100 V supporta diverse applicazioni ad alta tensione
La corrente di drenaggio continua di 80 A consente prestazioni affidabili sotto carichi pesanti
Certificazione AEC Q101, che garantisce un'elevata affidabilità per le applicazioni automobilistiche
Il contenitore compatto TO-252 facilita una migliore gestione termica e un design salvaspazio
La robusta capacità a valanga garantisce la sicurezza in condizioni transitorie
L'elevata dissipazione di potenza di 142 W soddisfa le esigenze operative più complesse
Placcatura senza piombo e conforme alla direttiva RoHS, in linea con le pratiche rispettose dell'ambiente
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