MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P 100 V, 6.2 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie RD3P08BBLHRBTL
- Codice RS:
- 687-355
- Codice costruttore:
- RD3P08BBLHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
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Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | RD3P08BBLHRB | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 142W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 55nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101, RoHS | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Larghezza | 6.8mm | |
| Lunghezza | 10.5mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie RD3P08BBLHRB | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 142W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 55nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101, RoHS | ||
Altezza 2.3mm | ||
Larghezza 6.8mm | ||
Lunghezza 10.5mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale N ROHM è progettato per applicazioni robuste che richiedono una commutazione efficiente. Con una tensione nominale massima di 100 V e una corrente di drenaggio continua di 80 A, questo componente offre una gestione affidabile dell'alimentazione. La sua bassa resistenza in stato attivo di soli 6,2 mΩ garantisce una perdita di energia minima durante il funzionamento, fondamentale per migliorare l'efficienza degli alimentatori. Questo MOSFET supporta un'ampia gamma di applicazioni di corrente commutata e dispone della certificazione AEC-Q101, che lo rende adatto agli ambienti automobilistici. Il contenitore DPAK compatto consente di migliorare le prestazioni termiche in spazi ristretti.
La bassa resistenza di accensione migliora l'efficienza energetica, riducendo la generazione di calore
La tensione nominale drain-source di 100 V supporta diverse applicazioni ad alta tensione
La corrente di drenaggio continua di 80 A consente prestazioni affidabili sotto carichi pesanti
Certificazione AEC Q101, che garantisce un'elevata affidabilità per le applicazioni automobilistiche
Il contenitore compatto TO-252 facilita una migliore gestione termica e un design salvaspazio
La robusta capacità a valanga garantisce la sicurezza in condizioni transitorie
L'elevata dissipazione di potenza di 142 W soddisfa le esigenze operative più complesse
Placcatura senza piombo e conforme alla direttiva RoHS, in linea con le pratiche rispettose dell'ambiente
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