MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P -30 V, 8.5 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie AG502EED3HRBTL
- Codice RS:
- 687-467
- Codice costruttore:
- AG502EED3HRBTL
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 687-467
- Codice costruttore:
- AG502EED3HRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -30V | |
| Serie | AG502EED3HRB | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 77W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 5 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 52nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Lunghezza | 10.50mm | |
| Larghezza | 6.80 mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101, RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -30V | ||
Serie AG502EED3HRB | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 77W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 5 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 52nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.3mm | ||
Lunghezza 10.50mm | ||
Larghezza 6.80 mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101, RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per una gestione efficiente e affidabile dell'energia nei sistemi automobilistici. Con una tensione massima drain-source di -30 V e una capacità di corrente di drenaggio continua fino a 78 A, questo dispositivo è ideale per le applicazioni più esigenti che richiedono una gestione robusta della potenza. La bassa resistenza di accensione di 8,5 mΩ riduce al minimo la perdita di potenza, contribuendo a migliorare l'efficienza termica. Inoltre, il MOSFET è qualificato secondo gli standard AEC-Q101, garantendo la conformità ai rigorosi requisiti automobilistici in termini di durata e prestazioni. Grazie alle eccellenti caratteristiche a valanga e all'ampio intervallo di temperature operative, l'AG502EED3HRB garantisce prestazioni costanti in diverse condizioni.
Struttura robusta con certificazione AEC Q101 per applicazioni automobilistiche
Bassa resistenza di accensione di 8,5 mΩ, ottimizzazione dell'efficienza energetica
La corrente di drenaggio continua massima di 78 A consente di gestire carichi impegnativi
Ampia gamma di temperature d'esercizio da -55 °C a 175 °C per prestazioni affidabili
La resistenza termica di 1,94 °C/W migliora le capacità di dissipazione del calore
Testato a valanga al 100%, per garantire un'elevata affidabilità in condizioni transitorie
Placcatura senza piombo e conformità agli standard RoHS per un design ecologico
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