MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P -30 V, 8.5 mΩ Miglioramento, 78 A, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie AG502EED3HRBTL

Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per una gestione efficiente e affidabile dell'energia nei sistemi automobilistici. Con una tensione massima drain-source di -30 V e una capacità di corrente di drenaggio continua fino a 78 A, questo dispositivo è ideale per le applicazioni più esigenti che richiedono una gestione robusta della potenza. La bassa resistenza di accensione di 8,5 mΩ riduce al minimo la perdita di potenza, contribuendo a migliorare l'efficienza termica. Inoltre, il MOSFET è qualificato secondo gli standard AEC-Q101, garantendo la conformità ai rigorosi requisiti automobilistici in termini di durata e prestazioni. Grazie alle eccellenti caratteristiche a valanga e all'ampio intervallo di temperature operative, l'AG502EED3HRB garantisce prestazioni costanti in diverse condizioni.

Struttura robusta con certificazione AEC Q101 per applicazioni automobilistiche