MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P 60 V, 30 mΩ Miglioramento, 48 A, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie RD3L04BBJHRBTL
- Codice RS:
- 687-468
- Codice costruttore:
- RD3L04BBJHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
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Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,155 € | 4,31 € |
| 20 - 48 | 1,89 € | 3,78 € |
| 50 - 198 | 1,705 € | 3,41 € |
| 200 - 998 | 1,38 € | 2,76 € |
| 1000 + | 1,34 € | 2,68 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 687-468
- Codice costruttore:
- RD3L04BBJHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 48A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3L04BBJHRB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 30mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 48nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 77W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101, RoHS | |
| Larghezza | 6.8mm | |
| Lunghezza | 10.5mm | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 48A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Serie RD3L04BBJHRB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 30mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 48nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 77W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101, RoHS | ||
Larghezza 6.8mm | ||
Lunghezza 10.5mm | ||
Altezza 2.3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale P ROHM è progettato per una commutazione efficiente in applicazioni automobilistiche e industriali. In grado di resistere a una tensione drain-source di -60 V e a una corrente di drenaggio continua massima di ±48 A, questo componente garantisce prestazioni affidabili in condizioni difficili. Con una bassa resistenza di accensione di 30 mΩ, ottimizza la perdita di potenza, aumentando così l'efficienza complessiva del sistema. Il prodotto è inoltre certificato AEC-Q101 e testato a valanga al 100%, il che lo rende una scelta ideale per le applicazioni critiche in cui l'affidabilità è fondamentale.
La bassa resistenza di accensione favorisce l'efficienza energetica
La qualifica AEC Q101 garantisce un'elevata affidabilità nelle applicazioni automobilistiche
Il test a valanga al 100% garantisce prestazioni sotto sforzo
Compatibile con un'ampia gamma di temperature da -55 °C a 175 °C per un uso versatile
La capacità di energia a valanga di 34,9 mJ aumenta la robustezza in condizioni dinamiche
Le caratteristiche elettriche complete a 25 °C consentono un'applicazione precisa nei progetti
L'imballaggio in rilievo garantisce uno stoccaggio e una manipolazione sicuri ed efficienti
Ottimizzato per varie applicazioni, tra cui ADAS, infotainment e illuminazione
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