MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P 80 V, 650 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie RD3N045ATTL1
- Codice RS:
- 687-488
- Codice costruttore:
- RD3N045ATTL1
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 687-488
- Codice costruttore:
- RD3N045ATTL1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | RD3N045AT | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 650mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5.9nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 17W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101, RoHS | |
| Lunghezza | 10.50mm | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Larghezza | 6.8 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie RD3N045AT | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 650mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.9nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 17W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101, RoHS | ||
Lunghezza 10.50mm | ||
Altezza 2.3mm | ||
Larghezza 6.8 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- JP
Il MOSFET a canale P ROHM è progettato per una varietà di applicazioni di potenza. Con una tensione nominale drain-source di -80 V e una capacità di corrente di drenaggio continua di -4,5 A, questo MOSFET offre prestazioni elettriche eccellenti per gli ambienti più difficili. La bassa resistenza di accensione di 650 mΩ massimizza l'efficienza riducendo al minimo la generazione di calore, contribuendo a un'affidabilità complessiva superiore. Conforme alla direttiva RoHS e dotato di un robusto contenitore TO-252, l'RD3N045AT è ideale per gli azionamenti dei motori e altre applicazioni di commutazione, garantendo un funzionamento robusto in scenari ad alta potenza. Il dispositivo è rigorosamente testato per l'affidabilità del gate e le sue caratteristiche sono prive di alogeni, a supporto di pratiche rispettose dell'ambiente.
La bassa resistenza di accensione di 650 mΩ aumenta l'efficienza e riduce le perdite di potenza
Offre elevate capacità di gestione della potenza con una dissipazione di potenza massima di 17 W
La temperatura di giunzione massima di 150 °C garantisce l'affidabilità in condizioni difficili
La capacità di corrente di drenaggio a impulsi di ±9 A supporta le applicazioni di carico transitorio
La tolleranza della tensione gate-source di ±20 V consente di realizzare circuiti flessibili
Ideale per le applicazioni di azionamento dei motori, migliorando le prestazioni dei motori elettrici
La struttura conforme alla direttiva RoHS promuove la sostenibilità ambientale
Testato per l'affidabilità al 100% Rg e UIS, per garantire prestazioni robuste a lungo termine
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