MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P -30 V, 3.7 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie RD3E08BBJHRBTL
- Codice RS:
- 687-362
- Codice costruttore:
- RD3E08BBJHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 687-362
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- RD3E08BBJHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -30V | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3E08BBJHRB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 150nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 142W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Lunghezza | 10.50mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101, RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -30V | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Serie RD3E08BBJHRB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 150nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 142W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.3mm | ||
Lunghezza 10.50mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101, RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per applicazioni impegnative che richiedono una bassa resistenza in stato attivo e elevate capacità di gestione della corrente. Questo robusto dispositivo funziona con una tensione massima drain-source di -30 V e una corrente di drenaggio continua di ±80 A, garantendo prestazioni efficienti nei sistemi di gestione dell'alimentazione. La sua struttura innovativa include una resistenza termica di soli 1,05 °C/W, che ottimizza l'affidabilità e facilita l'efficace dissipazione del calore. Con la certificazione AEC-Q101, questo MOSFET è adatto per le applicazioni automobilistiche, funzionando in ambienti soggetti a variazioni di temperatura estreme e garantendo un funzionamento affidabile in condizioni difficili.
La bassa resistenza di accensione di 3,7 mΩ migliora l'efficienza e riduce al minimo la perdita di energia
Capacità di corrente di drenaggio a impulsi di ±160 A, per adattarsi alle applicazioni ad alta richiesta
La tensione nominale gate-source di +5/-20 V garantisce un funzionamento versatile e un controllo robusto
Montaggio in contenitore DPAK per una gestione termica efficiente e un ingombro ridotto
Testato a valanga per una maggiore affidabilità in ambienti elettrici ad alta tensione
La certificazione AEC Q101 lo rende ideale per le applicazioni automobilistiche critiche per la sicurezza.
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