MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P -40 V, 4.9 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie AG501EGD3HRBTL

Il MOSFET di potenza a canale P ROHM è progettato per una gestione efficiente dell'energia nei sistemi automobilistici e in varie applicazioni. Dotato di una tensione massima drain-source di -40 V e di una capacità di corrente di drenaggio continua fino a -80 A, questo robusto dispositivo offre un'eccezionale affidabilità in condizioni operative difficili. Con una bassa resistenza di accensione di soli 4,9 mΩ, garantisce una perdita di energia minima, contribuendo a migliorare l'efficienza complessiva del sistema e le prestazioni termiche. Questo MOSFET è inoltre certificato AEC-Q101, che ne evidenzia l'idoneità per le applicazioni automobilistiche in cui è necessario soddisfare standard rigorosi.

Offre una bassa resistenza di accensione per ridurre la perdita di potenza e migliorare l'efficienza