MOSFET onsemi, canale N 100 V, 56 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-252, Superficie NTD6415ANLT4G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
802-1030
Codice costruttore:
NTD6415ANLT4G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

NTD6415ANL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

56mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.38mm

Larghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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