MOSFET onsemi, canale N, 56 mΩ, 23 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 802-1030
Codice costruttore:: NTD6415ANLT4G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 56 mΩ, 23 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 802-1030
Codice costruttore:: NTD6415ANLT4G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	23 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	56 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	83 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	6.73mm
Carica gate tipica @ Vgs	20 nC a 4,5 V
Larghezza	6.22mm
Altezza	2.38mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 56 mΩ, 23 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

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