MOSFET onsemi, canale N 40 V, 4.7 mΩ Miglioramento, 76 A, 56 Pin, Power 56, Superficie FDMS8333LN

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-063
Codice costruttore:
FDMS8333LN
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

76A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

Power 56

Serie

NXH

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

56

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

5.1mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N di ON Semiconductor è stato progettato specificamente per migliorare l'efficienza complessiva e ridurre al minimo il ringing del nodo di commutazione dei convertitori CC/CC che utilizzano controllori PWM a commutazione sincroni o convenzionali. È stato ottimizzato per garantire una bassa carica di gate, una bassa RDS(ON), una rapida velocità di commutazione e prestazioni di recupero inverso dei diodi corpo e corpo.

100% testato UIL

Design robusto della confezione MSL 1

Conformità RoHS

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