MOSFET onsemi, canale Tipo N 50 V, 100 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-252, Superficie RFD14N05LSM
- Codice RS:
- 166-2732
- Codice costruttore:
- RFD14N05LSM
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,615 € | 46,13 € |
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| 525 - 975 | 0,381 € | 28,58 € |
| 1050 - 2475 | 0,371 € | 27,83 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 166-2732
- Codice costruttore:
- RFD14N05LSM
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 14A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 50V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 40nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 48W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 14A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 50V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 40nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 48W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 2.39mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor
I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
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