Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 14 mΩ Miglioramento, 57 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FDD8447L

Codice RS:: 739-0177
Codice costruttore:: FDD8447L
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 14 mΩ Miglioramento, 57 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FDD8447L

Sconto per quantità disponibile

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

3,98 €

(IVA esclusa)

4,855 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

Più 80 unità in spedizione dal 24 agosto 2026
Più 6470 unità in spedizione dal 31 agosto 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 45	0,796 €	3,98 €
50 - 95	0,686 €	3,43 €
100 - 495	0,594 €	2,97 €
500 - 995	0,522 €	2,61 €
1000 +	0,474 €	2,37 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 739-0177
Codice costruttore:: FDD8447L
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	57A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	14mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	37nC
	Tensione diretta Vf	0.8V
	Dissipazione di potenza massima Pd	44W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.73mm
	Altezza	2.39mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 57A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package TO-252
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 14mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 37nC
	Tensione diretta Vf 0.8V
	Dissipazione di potenza massima Pd 44W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.73mm
	Altezza 2.39mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.