MOSFET onsemi, canale N, 8,5 mΩ, 57 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 146-3372
Codice costruttore:: FDMC86184
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 8,5 mΩ, 57 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,733 €

(IVA esclusa)

0,894 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,733 €	2.199,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 146-3372
Codice costruttore:: FDMC86184
Costruttore:: onsemi

FDMC86184, N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	57 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	PQFN8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	8,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	54 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	21 nC a 10 V
Lunghezza	3.4mm
Larghezza	3.4mm
Numero di elementi per chip	1
Tensione diretta del diodo	1.3V
Altezza	0.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 8,5 mΩ, 57 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

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