MOSFET onsemi, canale N 120 V, 4 mΩ Miglioramento, 67 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
178-4251
Codice costruttore:
FDMS4D0N12C
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

67A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

FDMS

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

106W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.05mm

Larghezza

6mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Tecnologia MOSFET a gate schermato

Max. rDS(on) = 4,0 mΩ a VGS = 10 V, ID = 67 A

Max. rDS(on) = 8,0 mΩ a VGS = 6 V, ID = 33 A

Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET

Basso rumore di commutazione/livello di EMI

Struttura robusta del contenitore MSL1

Applicazioni:

Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.

Prodotti finali:

Alimentatore c.a.-c.c. e c.c.-c.c.

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