MOSFET onsemi, canale Tipo N 120 V, 4 mΩ Miglioramento, 67 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Codice RS:
178-4251
Codice costruttore:
FDMS4D0N12C
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

67A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

FDMS

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

106W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.05mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Tecnologia MOSFET a gate schermato

Max. rDS(on) = 4,0 mΩ a VGS = 10 V, ID = 67 A

Max. rDS(on) = 8,0 mΩ a VGS = 6 V, ID = 33 A

Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET

Basso rumore di commutazione/livello di EMI

Struttura robusta del contenitore MSL1

Applicazioni:

Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.

Prodotti finali:

Alimentatore c.a.-c.c. e c.c.-c.c.

Link consigliati