MOSFET onsemi, canale N, 6,8 mΩ, 22 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® di Fairchild Semiconductor che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Tecnologia MOSFET a gate schermato
Max. rDS(on) = 6,8 mΩ a VGS = 10 V, ID = 21 A
Max. rDS(on) = 11,1 mΩ a VGS = 4,5 V, ID = 17 A
Capacità azionamento 5 V
Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET
Basso rumore di commutazione/livello di EMI
Struttura robusta del contenitore MSL1


Contenitore con capacità dualcool
Applicazioni
MOSFET c.c.-c.c. primario
Raddrizzatore sincrono in c.c.-c.c. e c.a.-c.c.
Azionamento
Solare