MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 6.8 mΩ Miglioramento, 22 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
178-4249
Codice costruttore:
FDMC007N08LCDC
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

22A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

FDMC

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.75mm

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® di Fairchild Semiconductor che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Tecnologia MOSFET a gate schermato

Max. rDS(on) = 6,8 mΩ a VGS = 10 V, ID = 21 A

Max. rDS(on) = 11,1 mΩ a VGS = 4,5 V, ID = 17 A

Capacità azionamento 5 V

Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET

Basso rumore di commutazione/livello di EMI

Struttura robusta del contenitore MSL1

Contenitore con capacità dualcool

Applicazioni

MOSFET c.c.-c.c. primario

Raddrizzatore sincrono in c.c.-c.c. e c.a.-c.c.

Azionamento

Solare

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