MOSFET onsemi, canale N 80 V, 5.9 mΩ Miglioramento, 84 A, 8 Pin, PQFN, Superficie NTTFS5D9N08HTWG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5729
Codice costruttore:
NTTFS5D9N08HTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

84A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PQFN

Serie

NTTF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Larghezza

800μm

Altezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N singolo ON Semiconductor è attivo su 80 Volt e 84 A. Può essere usato su convertitori buck c.c.-c.c., punto di carico, interruttore di carico ad alta efficienza e commutazione low side, Oring FET.

Senza piombo

Senza alogeni

Conformità RoHS

Gamma di temperatura di stoccaggio e giunzione d'esercizio da -55 a +150 °C.

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