MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 6 mΩ Miglioramento, 32 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
205-2424
Codice costruttore:
NTMFS006N08MC
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PQFN

Serie

NTMFS006N08MC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.1 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET MV a canale N serie Power Trench 150V DI ON Semiconductor è prodotto utilizzando un processo Advanced che incorpora la tecnologia gate schermata. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Max RDS(ON) = 11,5 MOhm a VGS è 10V, ID è 35A

Bassa perdita di conduzione

Max RDS(ON) 13,2 MOhm a VGS è 8V, ID 18A

Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di mosfet

Riduce il rumore di commutazione/EMI

Struttura robusta del contenitore MSL1

Testato al 100% con UIL

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