MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 7.5 mΩ Miglioramento, 116 A, 8 Pin, PQFN, Superficie FDMS4D5N08LC

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-2499
Codice costruttore:
FDMS4D5N08LC
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

116A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PQFN

Serie

FDMS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

113.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.85mm

Larghezza

5 mm

Altezza

1.05mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® di ON Semiconductor che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Tecnologia MOSFET a gate schermato

Max. rDS(on) = 6,8 mΩ a VGS = 10 V, ID = 37 A

Max. rDS(on) = 6,8 mΩ a VGS = 4,5 V, ID = 29 A

Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET

Basso rumore di commutazione/livello di EMI

Capacità Unità Di Livello Logico

Applicazione

Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.

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