MOSFET onsemi, canale N, 7,5 mΩ, 116 A, PQFN8, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 195-2498
- Codice costruttore:
- FDMS4D5N08LC
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)
1,147 €
(IVA esclusa)
1,399 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Bobina* |
| 3000 + | 1,147 € | 3.441,00 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 195-2498
- Codice costruttore:
- FDMS4D5N08LC
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® di ON Semiconductor che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.
Tecnologia MOSFET a gate schermato
Max. rDS(on) = 6,8 mΩ a VGS = 10 V, ID = 37 A
Max. rDS(on) = 6,8 mΩ a VGS = 4,5 V, ID = 29 A
Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET
Basso rumore di commutazione/livello di EMI
Capacità Unità Di Livello Logico
Applicazione
Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.
Max. rDS(on) = 6,8 mΩ a VGS = 10 V, ID = 37 A
Max. rDS(on) = 6,8 mΩ a VGS = 4,5 V, ID = 29 A
Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET
Basso rumore di commutazione/livello di EMI
Capacità Unità Di Livello Logico
Applicazione
Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 116 A |
| Tensione massima drain source | 80 V |
| Tipo di package | PQFN8 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 8 |
| Resistenza massima drain source | 7,5 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 2.5V |
| Tensione di soglia gate minima | 1V |
| Dissipazione di potenza massima | 113,6 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | ±20 V |
| Carica gate tipica @ Vgs | 51 nC @ 10 V. |
| Larghezza | 5mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Lunghezza | 5.85mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Tensione diretta del diodo | 1.3V |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 1.05mm |
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