Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 120 V, 4 mΩ Miglioramento, 67 A, 8 Pin, PQFN, Superficie FDMS4D0N12C

Codice RS:: 178-4409
Codice costruttore:: FDMS4D0N12C
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 120 V, 4 mΩ Miglioramento, 67 A, 8 Pin, PQFN, Superficie FDMS4D0N12C

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

15,40 €

(IVA esclusa)

18,80 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

2950 unità in spedizione dal 13 aprile 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
10 +	1,54 €	15,40 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 178-4409
Codice costruttore:: FDMS4D0N12C
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	67A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	120V
	Serie	FDMS
	Tipo di package	PQFN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	4mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	106W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	36nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.05mm
	Lunghezza	5mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 67A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 120V
	Serie FDMS
	Tipo di package PQFN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 106W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.05mm
	Lunghezza 5mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: PH

Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Tecnologia MOSFET a gate schermato

Max. rDS(on) = 4,0 mΩ a VGS = 10 V, ID = 67 A

Max. rDS(on) = 8,0 mΩ a VGS = 6 V, ID = 33 A

Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET

Basso rumore di commutazione/livello di EMI

Struttura robusta del contenitore MSL1

Applicazioni:

Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.

Prodotti finali:

Alimentatore c.a.-c.c. e c.c.-c.c.

MOSFET onsemi, canale Tipo N 120 V, 4 mΩ Miglioramento, 67 A, 8 Pin, PQFN, Superficie FDMS4D0N12C

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Link consigliati