MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 3.9 mΩ Miglioramento, 103 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2574,00 €

(IVA esclusa)

3141,00 €

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Codice RS:
202-5726
Codice costruttore:
NTTFS3D7N06HLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

103A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NTTF

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.4mm

Larghezza

0.8 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N singolo ON Semiconductor è attivo su 40 Volt e 150 Amp. Può essere usato su convertitori buck c.c.-c.c., punto di carico, interruttore di carico ad alta efficienza e commutazione low side, Oring FET.

Senza piombo

Senza alogeni

Conformità RoHS

Gamma di temperatura di stoccaggio e giunzione d'esercizio da -55 a +150 °C.

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