MOSFET onsemi, canale N, 2,3 mΩ, 224 A, DFN8 5 x 6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 195-2675
Codice costruttore:: NVMFSC1D6N06CL
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 2,3 mΩ, 224 A, DFN8 5 x 6, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 195-2675
Codice costruttore:: NVMFSC1D6N06CL
Costruttore:: onsemi

Datasheet NVMFSC1D6N06CL

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	224 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	DFN8 5 x 6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	2,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	166 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Carica gate tipica @ Vgs	91 nC a 10 V
Larghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5.9mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.95mm

MOSFET onsemi, canale N, 2,3 mΩ, 224 A, DFN8 5 x 6, Montaggio superficiale

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