MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 235 A, 8 Pin, PQFN, Superficie NTMFSC1D6N06CL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-8747
Codice costruttore:
NTMFSC1D6N06CL
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

235A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PQFN

Serie

NTMFS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

166W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

91nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6mm

Altezza

0.95mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET a canale N è prodotto utilizzando il processo Advanced Power Trench® DI ON Semiconductor. I progressi nelle tecnologie del contenitore in silicio e Dual Cool™ sono stati combinati per offrire la RDS(ON) più bassa e, al contempo, eccellenti prestazioni di commutazione grazie alla resistenza termica da giunzione a ambiente estremamente bassa.

Top e Bottom sono esposte in piedinatura standard 5x6mm

Migliore dissipazione termica attraverso il lato Top e Bottom del contenitore

Rds(on) ultra bassa

Perdita di conduzione ridotta

Capacità ridotte e induttanza del contenitore

Perdita di commutazione ridotta

Applications

Raddrizzatore sincrono in alimentatori c.a.-c.c. e c.c.-c.c.

Interruttore Del Motore

Interruttore di carico

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